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IXFX100N65X2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 1040W(Tc) 供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 137.32538 137.32538
10+ 126.24374 1262.43747
100+ 106.61838 10661.83850
500+ 94.84432 47422.16350
1000+ 89.19522 89195.22700
  • 库存: 13
  • 单价: ¥137.32538
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥137.33
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.5V @ 4毫安
  • 供应商设备包装 PLUS247-3.
  • 最大功耗 1040W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11300 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 50A, 10V
  • 色彩/颜色 -

IXFX100N65X2 产品详情

使用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的这些新器件具有最低的导通电阻、低栅极电荷和优异的dv/dt性能。它们的雪崩能力也增强了器件的耐用性。此外,由于快速软恢复体二极管,超结MOSFET有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。

特色

  • 超低导通电阻RDS(on)和栅极电荷Qg
  • 快体二极管
  • dv/dt耐用性
  • 雪崩等级
  • 低封装电感
  • 国际标准包
优势:

  • 更高的效率
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用

  • 工业开关模式和谐振模式电源
  • 电动汽车蓄电池充电器
  • 交流和直流电机驱动
  • DC-DC转换器
  • 可再生能源逆变器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 机器人和伺服控制
IXFX100N65X2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IXFX100N65X2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IXFX100N65X2价格参考¥137.325384,你可以下载 IXFX100N65X2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IXFX100N65X2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

艾赛斯.力特 (IXYS)

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