9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BF 5020R E6327，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BF 5020R E6327参考价格为29.644771美元。Infineon Technologies BF 5020R E6327封装/规格：MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4。您可以下载BF 5020R E6327英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BF 2040 E6814是RF MOSFET晶体管硅N沟道MOSFET Tetrode 5V，包括BF2040系列，它们设计为与RF小信号MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如BF2040E6814HTSA1 BF2040E5814XT SP000012215，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-143封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，增益为1 GHz，器件提供200 mW输出功率，器件具有200 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为7 V，Id连续漏极电流为0.04 a，Vds漏极-源极击穿电压为8 V，且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为37mS。
BF 1009S E6327是RF MOSFET晶体管硅N沟道MOSFET四极管，包括8 V 10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于12 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF小信号MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及BF1009系列，该器件也可以用作200mW Pd功率耗散。此外，零件别名为BF1009SE6327HTSA1 SP000010955，该设备采用卷筒包装，该设备具有SOT-143封装盒，输出功率为200mW，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为0.025 a，增益为1 GHz，并且正向跨导Min为26mS。
BF 2040W H6814是RF MOSFET晶体管RF MOSFET，包括23 dB增益，它们设计为以40 mA Id连续漏电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，工作频率设计为1 GHz，以及SOT-343封装盒，该器件也可用作卷筒封装。此外，零件别名为BF2040WH6814XT BF2040WH8814XTSA1 SP000753844，该器件提供200mW Pd功耗，该器件具有串联的BF2040，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF小信号MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为10V，Vgs栅极-源极电压为6V。
BF 2030 E6814是RF MOSFET晶体管硅N沟道MOSFET四极管，包括SOT-143封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，提供RF小信号MOSFET等类型功能，封装设计用于卷筒，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作BF2030E6814HTSA1 SP000012219部件别名。此外，该系列为BF2030，器件提供8 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有6 V Vgs栅极-源极电压，Pd功耗为200 mW，Id连续漏极电流为0.04 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C。
