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BF 2040 E6814是RF MOSFET晶体管硅N沟道MOSFET Tetrode 5V，包括BF2040系列，它们设计为与RF小信号MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如BF2040E6814HTSA1 BF2040E5814XT SP000012215，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-143封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，增益为1 GHz，器件提供200 mW输出功率，器件具有200 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为7 V，Id连续漏极电流为0.04 a，Vds漏极-源极击穿电压为8 V，且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为37mS。
BF 2040W H6814是RF MOSFET晶体管RF MOSFET，包括6 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在10 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF小信号MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及BF2040系列，该器件也可以用作200mW Pd功率耗散。此外，零件别名为BF2040WH6814XT BF2040WH8814XTSA1 SP000753844，该设备采用卷筒包装，该设备具有SOT-343封装外壳，工作频率为1 GHz，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为40 mA，增益为23 dB。
BF 2030 E6814是RF MOSFET晶体管硅N沟道MOSFET四极管，包括0.04 A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-143，以及卷筒封装，该设备也可以用作BF2030E6814HTSA1 SP000012219部件别名。此外，Pd功耗为200 mW，该器件为BF2030系列，该器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，类型为RF小信号MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为8 V，Vgs栅极-源极电压为6 V。
