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BF 771 E6327是双极晶体管-BJT NPN RF晶体管12V 80mA 580mW，包括BF771系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BF771E6327HTSA1 BF771E6329XT SP000010967，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为580 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为20 V，发射极基极电压VEBO为2 V，最大直流集电极电流为0.08 A，并且增益带宽乘积fT为8000MHz，并且连续集电极电流为0.08A，并且DC集电极基极增益hfe Min在30mA和8V时为70。
BF 2040W H6814是RF MOSFET晶体管RF MOSFET，包括6 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在10 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF小信号MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及BF2040系列，该器件也可以用作200mW Pd功率耗散。此外，零件别名为BF2040WH6814XT BF2040WH8814XTSA1 SP000753844，该设备采用卷筒包装，该设备具有SOT-343封装外壳，工作频率为1 GHz，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为40 mA，增益为23 dB。
BF 770A E6327是TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23，包括90mA集流器Ic Max，设计用于在70@30mA、8V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表说明中显示了用于6GHz的频率转换，提供9.5dB~14.5dB等增益特性，安装类型设计用于表面安装，该器件还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的最大功率为300mW，该设备具有供应商设备包装的PG-SOT23-3，晶体管类型为NPN，集电极-发射极击穿最大值为12V。
