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AO3401CI-MS

Name: AO3401CI-MS
Brand: 美森科 (MSKSEMI)
SKU: 27350956-AO3401CI-MS
Price: 0.201244 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A A19T
品牌: 美森科 (MSKSEMI)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	0.24584	0.24584
30+	0.21565	6.46965
100+	0.18917	18.91710
500+	0.16011	80.05850
1000+	0.14554	145.54800

库存: 10
单价: ¥0.20124
数量:
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规格参数

类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3A
功率(Pd) 350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,2.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 5.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds) 405pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds) 55pF@10V
工作温度 +150℃@(Tj)

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型号	制造商	描述	价格
AO3400-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A	¥0.2393
AO3401-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A	¥0.12578
AO3400-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A	¥0.13659
AO3416A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A	¥0.24752
AO3401CI-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A A19T	¥0.20124
AO3442A	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.32835
AO3480A(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.35104
AO3422A	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.42592
AO3409A	广东友台半导体 (UMW)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A	¥0.14144
AO3402A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A	¥0.18546

AO3401CI-MS所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3401CI-MS 由美森科 (MSKSEMI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3401CI-MS价格参考￥0.201244，你可以下载 AO3401CI-MS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3401CI-MS规格参数、现货库存、封装信息等信息！