AO3400-HXY
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.23929 | 0.23929 |
| 10+ | 0.19384 | 1.93847 |
| 30+ | 0.16859 | 5.05791 |
| 150+ | 0.13029 | 19.54380 |
| 450+ | 0.11716 | 52.72425 |
| 1050+ | 0.11009 | 115.59765 |
- 库存: 434280
- 单价: ¥0.23930
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.24
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 5.8A
- 功率(Pd) 1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 825pF@15V
AO3400-HXY 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| AO3400-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A | ¥0.2393 |
| AO3401-ED | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A | ¥0.12578 |
| AO3400-ED | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A | ¥0.13659 |
 | AO3416A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A | ¥0.24752 |
| AO3401CI-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A A19T | ¥0.20124 |
 | AO3442A | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.32835 |
| AO3480A(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.35104 |
 | AO3422A | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.42592 |
 | AO3409A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A | ¥0.14144 |
 | AO3402A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A | ¥0.18546 |
AO3400-HXY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3400-HXY 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3400-HXY价格参考￥0.239296，你可以下载 AO3400-HXY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3400-HXY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
