AO3400-ED
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.13658 | 0.13658 |
| 10+ | 0.11067 | 1.10671 |
| 30+ | 0.09627 | 2.88822 |
| 150+ | 0.07429 | 11.14395 |
| 450+ | 0.06680 | 30.06090 |
| 1050+ | 0.06277 | 65.91375 |
- 库存: 401000
- 单价: ¥0.13659
-
数量:
- +
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 3A
- 功率(Pd) 900mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@10V,2.8A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 260pF@10V
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AO3400-ED所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3400-ED 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3400-ED价格参考￥0.136585，你可以下载 AO3400-ED中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3400-ED规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
