久芯网

品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
R1LV0408DSA-5SR#B0
R1LV0408DSA-5SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥96.28321

2797

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
R1LV0408CSB-5UC#D0
R1LV0408CSB-5UC#D0
STANDARD SRAM, 512KX8

¥96.28321

2903

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
R1LV0408CSB-7LC#D0
R1LV0408CSB-7LC#D0
STANDARD SRAM, 512KX8

¥96.28321

2063

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
RMLV0408EGSB-4S2#AA0
RMLV0408EGSB-4S2#AA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥96.28321

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
R1LV0408DSP-5SR#B0
R1LV0408DSP-5SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥96.28321

1014

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
R1LV0408DSP-5SR#S0
R1LV0408DSP-5SR#S0
STANDARD SRAM, 512KX8

¥96.28321

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
R1LV0408CSB-5SC#D0
R1LV0408CSB-5SC#D0
STANDARD SRAM, 512KX8

¥96.28321

629

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
R1LV0408DSB-7LR#S0
R1LV0408DSB-7LR#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥96.28321

546

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
R1LV0408CSB-5UI#D0
R1LV0408CSB-5UI#D0
STANDARD SRAM, 512KX8

¥96.28321

450

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
R1LV0408DSB-5SR#B0
R1LV0408DSB-5SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥96.28321

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
HN27C101AG-10
HN27C101AG-10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.75伏~5.25伏 供应商设备包装: 32-CDIP

¥31.82916

13024

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.21204

添加到BOM
立即询价
UPD44325362BF5-E40-FQ1
UPD44325362BF5-E40-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥412.54932

60896

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,475.29590

添加到BOM
立即询价
UPD44324185BF5-E40-FQ1
UPD44324185BF5-E40-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥412.54932

36634

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,475.29590

添加到BOM
立即询价
R1LV0408DSP-5SI#B0
R1LV0408DSP-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥96.28321

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.51381

添加到BOM
立即询价
UPD44325184BF5-E33-FQ1
UPD44325184BF5-E33-FQ1
QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS

¥412.54932

23687

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,475.29590

添加到BOM
立即询价
UPD44325084BF5-E40-FQ1
UPD44325084BF5-E40-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥412.54932

17260

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,475.29590

添加到BOM
立即询价
R1LV0208BSA-5SI#B0
R1LV0208BSA-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥64.02002

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.68051

添加到BOM
立即询价
R1LV0216BSB-7SI#B0
R1LV0216BSB-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥64.02002

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.68051

添加到BOM
立即询价
R1LV0216BSB-5SI#B0
R1LV0216BSB-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥64.02002

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.68051

添加到BOM
立即询价
AT25SL321-UUE-T
AT25SL321-UUE-T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WLCSP (1.55x2.28)

¥6.72970

93931

2-3 工作日

- +

合计: ¥6.72970

立即购买
加入购物车
会员中心 微信客服
客服
回到顶部