品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STANDARD SRAM, 512KX16, 70NS | ¥105.16691 | 26810 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.50507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | STANDARD SRAM, 512KX16, 55NS | ¥105.16691 | 7903 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.50507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | STANDARD SRAM, 4MX16, 55NS | ¥763.25680 | 6836 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,289.77041 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | STANDARD SRAM, 512KX16, 55NS | ¥105.16691 | 4950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.50507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | STANDARD SRAM, 4MX16, 70NS | ¥763.25680 | 200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,289.77041 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 512K X16, SRAM | ¥105.16691 | 3193 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.50507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥763.25680 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,289.77041 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | STANDARD SRAM, 512KX16, 55NS | ¥105.16691 | 2059 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.50507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 256K SERIAL EEPROM (32KWORD X 8 | ¥106.03606 | 8224 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,226.75718 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17) | ¥413.06259 | 2087 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,478.37552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17) | ¥413.06259 | 1349 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,478.37552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS | ¥413.06259 | 1161 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,478.37552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS | ¥413.06259 | 380 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,478.37552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥7.38776 | 20270 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-SOP | ¥7.38776 | 11800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17) | ¥413.06259 | 515 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,478.37552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TWO-WIRE SERIAL INTERFACE 64K EE | ¥8.03962 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.73675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS | ¥413.06259 | 463 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,478.37552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17) | ¥413.06259 | 445 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,478.37552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | QDR SRAM, 4MX9, 0.45NS | ¥413.06259 | 415 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,478.37552 | 添加到BOM 立即询价 |