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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UPD43256BGU-70Y
UPD43256BGU-70Y
STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS

¥46.80333

1862794

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.75665

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R1EX25064ATA00A#UN
R1EX25064ATA00A#UN
EEPROM, 8KX8, SERIAL

¥15.26353

109276

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.68465

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R1EX25064ATA00A#S0
R1EX25064ATA00A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥15.26353

47740

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.68465

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R1EX25064ASA00A#S0
R1EX25064ASA00A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-SOP

¥15.26353

47855

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.68465

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R1LP0108ESA-5SR#B0
R1LP0108ESA-5SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥38.48435

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.60784

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R1LP0108ESP-7SR#S0
R1LP0108ESP-7SR#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥38.48435

1594

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.60784

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R1LP0108ESA-5SR#S0
R1LP0108ESA-5SR#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥38.48435

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.60784

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M5M5V5A36GP-85#B0
M5M5V5A36GP-85#B0
SRAM, 512KX36, 8.5NS

¥151.47787

18749

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,272.16799

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HN58X24256FPI#S0
HN58X24256FPI#S0
TWO-WIRE SERIAL INTERFACE 256K E

¥29.51431

12400

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.05909

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M5M5V5636GP-16I#BE
M5M5V5636GP-16I#BE
SRAM, 512KX36, 3.8NS

¥151.47787

13916

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,272.16799

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M5M5V5636GP-16I#B0
M5M5V5636GP-16I#B0
SRAM, 512KX36, 3.8NS

¥151.47787

10119

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,272.16799

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R1LV0416CSB-7LI#S0
R1LV0416CSB-7LI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥154.15441

69897

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,312.31613

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R1LV0414DSB-5SI#B0
R1LV0414DSB-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥154.15441

4033

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,312.31613

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R1LV0416DBG-7LI#S0
R1LV0416DBG-7LI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥154.15441

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,312.31613

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RMLV0414EGSB-4S2#AA0
RMLV0414EGSB-4S2#AA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥154.15441

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,312.31613

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R1LV0416DBG-7LI#B0
R1LV0416DBG-7LI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥154.15441

817

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,312.31613

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R1LV0416CSB-7LI#D0
R1LV0416CSB-7LI#D0
STANDARD SRAM, 256KX16, 70NS

¥154.15441

667

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,312.31613

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HN58W241000FPIAGS1
HN58W241000FPIAGS1
SERIAL 1M EEPROM

¥60.62008

4974

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.32295

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R1LV0414DSB-7LI#B0
R1LV0414DSB-7LI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥154.15441

558

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,312.31613

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HN58W241000FPI#S0
HN58W241000FPI#S0
SERIAL 1M EEPROM (128K X 8-BIT)

¥60.62008

4500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.32295

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