
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC   | ¥40.50230  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥40.50230  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)   | ¥37.34439  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥37.34439  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)   | ¥150.34812  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥150.34812  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC   | ¥60.00018  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥60.00018  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC   | ¥31.23139  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥31.23139  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)   | ¥6.06955  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6.06955  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)   | ¥59.26141  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥59.26141  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)   | ¥96.28711  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥96.28711  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)   | ¥102.76227  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥102.76227  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫   | ¥36.43179  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥36.43179  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)   | ¥47.99146  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥47.99146  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)   | ¥64.09967  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥64.09967  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥47.18025  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥47.18025  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥27.39265  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥27.39265  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz   | ¥486.95465  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥486.95465  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz   | ¥33.99817  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥33.99817  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)   | ¥83.07606  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥83.07606  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥55.59650  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥55.59650  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥149.43551  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥149.43551  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥25.69781  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥25.69781  | 添加到BOM  立即询价  |