品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz | ¥67.38794 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.38794 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥47.77417 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.77417 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥69.54633 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.54633 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥23.03242 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.03242 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥94.20116 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.20116 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥115.64014 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.64014 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥460.98161 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥460.98161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥11.84938 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.84938 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥52.67037 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.67037 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥43.96440 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.96440 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-WBGA（9x13） | ¥23.00345 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.00345 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥39.93735 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.93735 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA | ¥32.10053 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.10053 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-WBGA（9x13） | ¥47.99146 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.99146 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA | ¥46.83259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.83259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥52.23580 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.23580 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA（9x13） | ¥804.28059 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥804.28059 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 | ¥59.78290 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.78290 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥50.75824 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.75824 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥29.10197 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.10197 | 添加到BOM 立即询价 |