
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC   | ¥18.42492  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥810.69666  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC   | ¥18.42492  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥810.69666  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)   | ¥12.05434  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥5,786.08176  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)   | ¥34.19808  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥16,415.07696  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)   | ¥14.91291  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥7,158.19536  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)   | ¥8.93194  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥5,091.20808  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC   | ¥26.48432  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥1,165.30990  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)   | ¥12.23970  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,976.63128  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)   | ¥24.33267  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥7,591.79210  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)   | ¥3.99149  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,275.14930  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)   | ¥37.92860  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥9,178.72047  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)   | ¥15.63199  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥7,503.35472  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)   | ¥37.92860  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥9,178.72047  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)   | ¥37.92860  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥9,178.72047  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)   | ¥26.83062  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥6,439.34880  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)   | ¥45.05446  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥10,903.17908  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC   | ¥29.35185  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥1,291.48149  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥77.16586  | 4381 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥77.16586  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)   | ¥29.02710  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥13,933.00560  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)   | ¥21.58544  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,885.75377  | 添加到BOM  立即询价  |