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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

久芯自营
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描述
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W988D6FBGX6E
W988D6FBGX6E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9)

¥24.23188

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5-7 工作日

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合计: ¥7,560.34718

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W988D6FBGX6I
W988D6FBGX6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9)

¥27.83934

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2-3 工作日

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合计: ¥8,685.87470

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W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9)

¥27.83934

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,685.87470

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W947D2HBJX5I
W947D2HBJX5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥24.96121

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合计: ¥5,990.69136

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W25Q128JVBIQ
W25Q128JVBIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥14.18626

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合计: ¥6,809.40480

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W947D2HBJX6E
W947D2HBJX6E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥24.96121

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2-3 工作日

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合计: ¥5,990.69136

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W987D2HBJX6E
W987D2HBJX6E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥20.97511

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,034.02712

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W987D2HBJX6I
W987D2HBJX6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥20.97511

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,034.02712

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W987D2HBJX7E
W987D2HBJX7E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥20.97511

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,034.02712

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W948D6KBHX5I
W948D6KBHX5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥22.78430

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2-3 工作日

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合计: ¥7,108.70254

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W29N01HVDINF
W29N01HVDINF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x6.5)

¥23.17154

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2-3 工作日

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合计: ¥6,024.60092

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W25Q64JVTBIQ
W25Q64JVTBIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥9.46607

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5-7 工作日

- +

合计: ¥4,543.71168

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W948V6KBHX5I
W948V6KBHX5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥23.58063

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5-7 工作日

- +

合计: ¥7,357.15625

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W29N01HZSINA
W29N01HZSINA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥23.64858

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,270.26320

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W29N01HZSINF
W29N01HZSINF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥23.64858

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,270.26320

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W29N01HVBINA
W29N01HVBINA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥23.95649

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2-3 工作日

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合计: ¥5,030.86206

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W29N01HVBINF
W29N01HVBINF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥23.95649

0

2-3 工作日

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合计: ¥5,030.86206

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W9751G6NB-18
W9751G6NB-18
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-VFBGA (8x12.5)

¥19.19807

0

5-7 工作日

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合计: ¥4,012.39684

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W25Q16JWSSIQ
W25Q16JWSSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.52632

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- +

合计: ¥317.36835

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W9751G8NB25I
W9751G8NB25I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9.5)

¥19.19807

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合计: ¥4,012.39684

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