
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)   | ¥33.94552  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥6,721.21237  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)   | ¥10.22569  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥4,908.33264  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)   | ¥8.07294  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥3,875.00928  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)   | ¥32.33757  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥10,089.32215  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥5.02368  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥452.13075  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥11.80028  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥1,062.02502  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V、1.425V~1.575V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)   | ¥41.13967  | 281 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥41.13967  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)   | ¥49.30807  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥9,762.99786  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)   | ¥43.61421  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥8,635.61338  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)   | ¥39.10566  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥6,569.75021  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)   | ¥39.10566  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥6,569.75021  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)   | ¥35.79803  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,014.06954  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)   | ¥33.81940  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥8,184.29553  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)   | ¥35.79803  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,014.06954  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)   | ¥33.81940  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥8,184.29553  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)   | ¥35.79803  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,014.06954  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)   | ¥35.79803  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,014.06954  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC   | ¥18.05416  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥1,624.87440  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)   | ¥19.53706  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥6,095.56397  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)   | ¥23.26792  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥7,259.59042  | 立即购买  加入购物车  |