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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT41J512M8THU-187E:A
MT41J512M8THU-187E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 533 MHz

¥23.93054

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MT48LC2M32B2P-5:G
MT48LC2M32B2P-5:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥48.25220

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RC28F128M29EWLA
RC28F128M29EWLA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥65.76553

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合计: ¥65.76553

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MT29F8G08ABABAWP-IT:B
MT29F8G08ABABAWP-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥466.45725

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MT29F16G08ABABAWP-IT:B
MT29F16G08ABABAWP-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥23.55391

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MT48LC2M32B2TG-55:G
MT48LC2M32B2TG-55:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥5.20040

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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥57.91757

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NAND128W3A0BN6E
NAND128W3A0BN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥43.83403

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MT48LC2M32B2TG-5:G
MT48LC2M32B2TG-5:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥139.58517

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JS28F00AM29EWHA
JS28F00AM29EWHA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥53.30774

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TE28F320J3D75A
TE28F320J3D75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥75.65933

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JS28F00AM29EWLA
JS28F00AM29EWLA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥58.30535

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TE28F128P30B85A
TE28F128P30B85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥32.73791

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NAND256R3A2BZA6E
NAND256R3A2BZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 55-VFBGA (8x10)

¥139.75900

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合计: ¥139.75900

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PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥127.37451

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TE28F128P30T85A
TE28F128P30T85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP (18.4x14)

¥480.13184

9000

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TE28F640P30B85A
TE28F640P30B85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥80.94665

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TE28F640P30T85A
TE28F640P30T85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥92.40492

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PC28F00AM29EWLA
PC28F00AM29EWLA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥127.37451

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MT48LC32M4A2P-7E:G
MT48LC32M4A2P-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

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