美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (9x13) | ¥21.26515 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.26515 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥44.34103 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.34103 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥43.22563 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.22563 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (9x13) | ¥60.33336 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.33336 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥25.23426 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.23426 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥519.00964 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥519.00964 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥63.43332 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.43332 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥84.29287 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.29287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-VFBGA (14x14) | ¥39.18409 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.18409 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥39.83595 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.83595 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥21.01890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.01890 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥22.59785 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.59785 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12) | ¥38.76400 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.76400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥129.98108 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.98108 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13) | ¥67.17066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.17066 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥43.89197 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.89197 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥51.77225 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.77225 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥20.23666 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.23666 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥117.63918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥117.63918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥61.37634 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.37634 | 添加到BOM 立即询价 |