品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.97780 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.97780 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥7.02561 | 8151 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.96564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥0.86915 | 34780 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥4.56303 | 63000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.31177 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 224毫安（Ta） 最大功耗: 120mW（Ta） 供应商设备包装: 3-XLLGA（0.62-0.62） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 | 317296 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 | 4009 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNL SILICON MOSFET | ¥4.56303 | 16643 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.31177 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 49687 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥9.12605 | 19000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.12691 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 915毫安（Ta） 最大功耗: 300mW (Tj) 供应商设备包装: SC-75，SOT-416 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.50266 | 12405 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.50266 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.12605 | 13607 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.12691 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、130A（Tc） 最大功耗: 890mW (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.21249 | 1955 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.21249 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 210毫安（Ta） 最大功耗: 310mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-723 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.44327 | 470 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.44327 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Tj） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.99760 | 1018 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 154毫安（Tj） 最大功耗: 300mW (Tj) 供应商设备包装: SC-75，SOT-416 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.73153 | 478 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.73153 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.2A（Ta）、73A（Tc） 最大功耗: 1.3W（Ta），54.5W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.09804 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.09804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 | 1330 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.07003 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 | 1309 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.18688 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta) 最大功耗: 780mW (Ta), 21.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.21489 | 1072 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.21489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.28732 | 2275 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.28732 | 添加到BOM 立即询价 |