特色
- 实现高密度PCB制造
- 占地面积比SC-89小44%，比SC-89薄38%
- 低压驱动使该设备成为便携式设备的理想选择
- 低阈值电平，VGS（TH）<1.3 V
- 薄型（<0.5 mm），可轻松安装在极薄的环境中，如Protable Electronics。
- 在标准逻辑级门驱动下运行，便于将来使用相同的基本拓扑迁移到较低级别。
应用
- 接口、切换
- 高速切换
- 移动电话
- PDA
（图片：引出线）
NTK3043NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 210毫安（Ta） 最大功耗: 310mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-723 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.44326 | 0.44326 |
- 库存: 470
- 单价: ¥0.44327
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.44
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 包装/外壳 SOT-723
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@250A.
- 供应商设备包装 SOT-723
- 漏源电流 (Id) @ 温度 210毫安（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.65伏、4.5伏
- 导通电阻 Rds(ON) 3.4欧姆@10毫安，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11 pF@10 V
- 最大功耗 310mW (Ta)
- 色彩/颜色 -
NTK3043NT1G 产品详情
功率MOSFET 20 V，285 mA，N沟道，带ESD保护，SOT-723
NTK3043NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| NTK591QB-C | Ciena NTK591QB Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTK590RH-C | Ciena NTK590RH Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTK590MH-C | Ciena NTK590MH Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTK585BN-C | Ciena NTK585BN Compatible TAA co | ¥0.00 | |
| NTK585BC-C | Ciena NTK585BC Compatible TAA co | ¥0.00 | |
| NTK591SB-C | Ciena NTK591SB Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTK585AN-C | Ciena NTK585AN Compatible TAA co | ¥0.00 | |
| NTK591RB-C | Ciena NTK591RB Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTK591QH-C | Ciena NTK591QH Compatible TAA Co | ¥0.00 |
NTK3043NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTK3043NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTK3043NT1G价格参考￥0.443265，你可以下载 NTK3043NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTK3043NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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