品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥6.95318 | 23000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER MOSFET MOTOR DRIVERS | ¥6.01161 | 27672 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.19013 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.72429 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta), 38A (Tc) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.49060 | 1035 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.49060 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.01161 | 17815 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.19013 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.76391 | 5612 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | PFET CHPFT 20V 4.9A 65MOH | ¥0.72429 | 27000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta），25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.76391 | 4569 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 5-MCPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.72429 | 16750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.11445 | 3606 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta), 37A (Tc) 最大功耗: 810mW (Ta), 20.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.56303 | 1467 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.56303 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 167W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.32214 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.32214 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.90877 | 24420 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64792 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、38A（Tc） 最大功耗: 2.46W（Ta），21.6W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.63546 | 1484 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.63546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.14246 | 2750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.14246 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.80593 | 3119 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥7.02561 | 20925 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.96564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Tc) 最大功耗: 1W（Ta）、3W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.83438 | 22 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.83438 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.08404 | 11200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.70789 | 1820 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.70789 | 添加到BOM 立即询价 |