品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.95558 | 3464 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.3A（Tc） 最大功耗: 111W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥65.47582 | 364 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.47582 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: Power88 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.23570 | 5405 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.23570 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.79432 | 70127 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.25691 | 216 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,783.49170 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.96959 | 4050 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥2.96959 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 4V DRIVE SERIES | ¥6.73590 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16652 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.79432 | 5595 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.02801 | 22500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.55823 | 1425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A（Tc） 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.21009 | 3303 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.21009 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.02801 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.21009 | 1838 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.21009 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.65186 | 177500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥3.04202 | 5978 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,196.33700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.65186 | 173569 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.86675 | 18829 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 403W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥84.45221 | 110 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.45221 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tj） 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.90397 | 1995 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.90397 | 添加到BOM 立即询价 |