NVHL050N65S3HF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 403W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 84.45221 | 84.45221 |
| 10+ | 76.31119 | 763.11194 |
| 100+ | 63.17619 | 6317.61950 |
| 500+ | 56.46492 | 28232.46200 |
- 库存: 110
- 单价: ¥84.45221
-
数量:
- +
- 总计: ¥84.45
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 至247-3
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 119 nC@10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 58A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 29A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1.7毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4880 pF @ 400 V
- 最大功耗 403W (Tc)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | NVHL072N65S3 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 312W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.20251 |
 | NVHL020N090SC1 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 118A（Tc） 最大功耗: 503W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥243.28901 |
 | NVH4L160N120SC1 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.3A（Tc） 最大功耗: 111W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥63.95481 |
| NVHL050N65S3HF | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 403W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥84.45221 |
 | NVH4L060N090SC1 | 安盛美 (onsemi) | - | ¥94.80956 |
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NVHL050N65S3HF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVHL050N65S3HF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVHL050N65S3HF价格参考￥84.452214，你可以下载 NVHL050N65S3HF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVHL050N65S3HF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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