品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 20伏 整流平均值 (Io): 1A 供应商设备包装: SMB 工作结温: -65摄氏度~125摄氏度 | ¥0.28972 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,328.15778 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 1对公共阴极 电容@Vr、法数: 28.2皮法@8V，1MHz 电容比值: 1.75 品质因数 (Q值): 100@3V，100MHz 供应商设备包装: 3-CP 工作温度: 125摄氏度（TJ） | ¥1.08644 | 42103 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 20伏 整流平均值 (Io): 500毫安 供应商设备包装: SOD-123 工作结温: -65摄氏度~125摄氏度 | ¥0.86915 | 43582 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | DIODE SCHOTTKY | ¥3.75182 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.75182 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.53943 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.53943 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.66347 | 3500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: N通道JFET 额定电压: 25伏 额定电流（单位：安培）: 30毫安 频率: 450兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.86915 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.78952 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.78952 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 35.7W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.32214 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.32214 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥30.49261 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.49261 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.17728 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.17728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 595W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.04008 | 553 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥158.04008 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 235W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.36656 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Tj） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.99760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.48301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.48301 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.16730 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.16730 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC | ¥2.60744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.96363 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 20V SC75 | ¥0.50700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥370.11219 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.37375 | 13374 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.37375 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | ¥4.13077 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,326.92750 | 添加到BOM 立即询价 |