特色
- 用于快速开关的低栅极电荷
- 小型1.6 X 1.6 mm占地面积
- ESD保护门
- 符合AEC Q101
- PPAP能力
- 符合RoHS
应用
- 电源管理负载开关
- 便携式应用程序
- 水平移位
- 手机，媒体播放器，数码相机，PDA，视频游戏，手持电脑等。
（图片：引出线）
NVA4001NT1G
- 描述:MOSFET N-CH 20V SC75
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 730
- 库存: 0
- 单价: ¥0.50700
-
数量:
- +
- 总计: ¥370.11
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 场效应管类型 -
- 技术 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
NVA4001NT1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择。20 V，238 mA，单，N通道，栅极ESD保护。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVA4001NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVAV-M162-10 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | PA NVAVM16210 CONDFTNG 45 M16NW1 | ¥75.54345 |
 | NVAV-P213 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | PA NVAVP213 COND FTNG 45D PG21 N | ¥94.6647 |
| NVA4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 20V SC75 | ¥0.507 |
| NVA1-453TT-U | 东电化 - Lambda (TDK) | POWER SUPPLY 600W | ¥5,783.07902 |
| NVA1-453TT-U-R | 东电化 - Lambda (TDK) | POWER SUPPLY 600W | ¥4,556.11727 |
| NVA1-4G5FF | 东电化 - Lambda (TDK) | POWER SUPPLY 600W | ¥1,599.75381 |
| NVA300027 | 东电化 - Lambda (TDK) | POWER SUPPLY 600W | ¥1,219.18287 |
| NVA300053 | 东电化 - Lambda (TDK) | POWER SUPPLY 600W | ¥815.66643 |
| NVA300209 | 东电化 - Lambda (TDK) | POWER SUPPLY 600W | ¥1,650.58448 |
| NVA30021B | 东电化 - Lambda (TDK) | POWER SUPPLY 600W | ¥764.82127 |
NVA4001NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVA4001NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVA4001NT1G价格参考￥0.507003，你可以下载 NVA4001NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVA4001NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
