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FDPF320N06L

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 26W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 328

  • 库存: 3500
  • 单价: ¥6.63357
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,175.81
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 25毫欧姆@21A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30.2 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1470 pF@25 V
  • 最大功耗 26W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-220F-3

FDPF320N06L 产品详情

该N沟道MOSFET采用PowerTrench®工艺生产,该工艺经过定制,可最大程度地降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。

特色

  • RDS(开启)=20mΩ (典型)@VGS=10V,ID=21A
  • RDS(开启)=23mΩ(典型)@VGS=5V,ID=17A
  • 低栅极电荷(典型值23.2nC)
  • 低铬(典型值64pF)
  • 快速切换
  • 100%雪崩测试
  • 改进的dv/dt能力
  • 符合RoHS

应用

  • 家用电器
  • LCD/LED/PDP电视
FDPF320N06L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDPF320N06L 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDPF320N06L价格参考¥6.633568,你可以下载 FDPF320N06L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDPF320N06L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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