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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S25FS512SAGMFI011
S25FS512SAGMFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥51.41259

1280

2-3 工作日

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合计: ¥51.41259

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S29GL512S11TFI020
S29GL512S11TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥69.72637

1929

2-3 工作日

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合计: ¥69.72637

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CY14B101Q2A-SXI
CY14B101Q2A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥81.83398

918

5-7 工作日

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合计: ¥81.83398

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S25FS512SAGMFV010
S25FS512SAGMFV010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥18.76264

1301

5-7 工作日

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合计: ¥18.76264

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S25FL128LAGMFI013
S25FL128LAGMFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥30.25071

23391

2-3 工作日

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CY62128EV30LL-45ZAXI
CY62128EV30LL-45ZAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥13.15117

3735

2-3 工作日

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合计: ¥13.15117

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CY7C1041GN30-10BVJXI
CY7C1041GN30-10BVJXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥58.95799

0

5-7 工作日

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合计: ¥58.95799

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S29GL512T11TFIV20
S29GL512T11TFIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥71.00938

0

5-7 工作日

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合计: ¥71.00938

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S29GL512T11TFIV10
S29GL512T11TFIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥71.00938

954

5-7 工作日

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合计: ¥71.00938

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S25FL064P0XMFB000
S25FL064P0XMFB000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥30.23672

0

5-7 工作日

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合计: ¥30.23672

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S25FS512SDSMFV013
S25FS512SDSMFV013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥54.55598

2837

5-7 工作日

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合计: ¥54.55598

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S25FL512SAGBHV210
S25FL512SAGBHV210
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥71.58669

97

5-7 工作日

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合计: ¥71.58669

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S25FL064LABNFI011
S25FL064LABNFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥34.79512

7951

2-3 工作日

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合计: ¥34.79512

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S25FL064LABNFV040
S25FL064LABNFV040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-USON (4x4)

¥20.63890

9542

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.63890

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CY7C1019D-10VXIT
CY7C1019D-10VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥44.74168

4289

5-7 工作日

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合计: ¥44.74168

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CY62128ELL-45ZXI
CY62128ELL-45ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥14.13188

71857

2-3 工作日

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合计: ¥14.13188

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CY62148ELL-45ZSXI
CY62148ELL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥64.65894

2601

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.65894

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S25FL128LAGBHV020
S25FL128LAGBHV020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥21.46951

51

2-3 工作日

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合计: ¥21.46951

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CY7C1021DV33-10BVXI
CY7C1021DV33-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥10.10296

215

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合计: ¥10.10296

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S26KL512SDABHI020
S26KL512SDABHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥23.16464

3

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