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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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FM25V02A-DG
FM25V02A-DG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (4x4.5)

¥58.59717

0

5-7 工作日

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合计: ¥58.59717

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S27KS0641DPBHV020
S27KS0641DPBHV020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥37.81394

231

5-7 工作日

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合计: ¥37.81394

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S25FL256SAGMFNG00
S25FL256SAGMFNG00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥48.13339

4718

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.13339

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CY7C1011DV33-10ZSXI
CY7C1011DV33-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥33.99357

9824

2-3 工作日

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合计: ¥33.99357

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CY62167GE30-45BVXI
CY62167GE30-45BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥39.25722

309

5-7 工作日

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合计: ¥39.25722

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CY62146EV30LL-45BVXI
CY62146EV30LL-45BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥58.81366

1572

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.81366

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S25FL256LAGBHM020
S25FL256LAGBHM020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥61.26724

650

5-7 工作日

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合计: ¥61.26724

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CY7C1370KV33-167AXC
CY7C1370KV33-167AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥256.61518

0

5-7 工作日

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合计: ¥256.61518

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CY7C1415KV18-300BZXC
CY7C1415KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥127.73028

121

5-7 工作日

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合计: ¥127.73028

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CY7C2245KV18-450BZXI
CY7C2245KV18-450BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥204.72927

28

5-7 工作日

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合计: ¥204.72927

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CY7C1520KV18-250BZC
CY7C1520KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥340.61408

125

5-7 工作日

- +

合计: ¥340.61408

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S25FL064LABMFA013
S25FL064LABMFA013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥15.50588

0

2-3 工作日

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合计: ¥15.50588

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WCMA2008U1X-FF70T
WCMA2008U1X-FF70T
SRAM CHIP ASYNC SINGLE 3V 2M BIT

¥2.88656

28000

5-7 工作日

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合计: ¥2,193.78560

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CY62148ELL-55SXI
CY62148ELL-55SXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥31.39205

0

2-3 工作日

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合计: ¥31.39205

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S29GL512T10TFI010
S29GL512T10TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥75.60059

0

2-3 工作日

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合计: ¥75.60059

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S29GL512T10DHI020
S29GL512T10DHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥71.00938

260

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.00938

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CY7C1041G30-10ZSXI
CY7C1041G30-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥72.30833

0

5-7 工作日

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合计: ¥72.30833

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CY7C1019DV33-10BVXI
CY7C1019DV33-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥20.27736

2400

2-3 工作日

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合计: ¥20.27736

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S25FS128SDSNFI101
S25FS128SDSNFI101
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥28.79344

0

5-7 工作日

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合计: ¥28.79344

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CY62157EV30LL-45BVXIT
CY62157EV30LL-45BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥88.54523

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