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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY14B101Q3-SFXI8
CY14B101Q3-SFXI8
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥57.73120

1868

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CY7C1399B-20ZC
CY7C1399B-20ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥10.68027

20488

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CY7C188-25VCT
CY7C188-25VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Kb (32K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥20.06159

1000

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CY7C1347G-166AXCKJ
CY7C1347G-166AXCKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥36.73148

912

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CY15B104QI-20LPXC
CY15B104QI-20LPXC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.8伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-GQFN (3.23x3.28)

¥155.05518

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CY7C1313AV18-167BZC
CY7C1313AV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥132.92609

3323

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CY7C1018CV33-12VI
CY7C1018CV33-12VI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥10.68027

2219

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CY7C1071DV33-12BAXI
CY7C1071DV33-12BAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x9.5)

¥988.35814

824

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CY7C1353G-100AXCKJ
CY7C1353G-100AXCKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥36.73148

0

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CY7C144-15AI
CY7C144-15AI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥198.37884

415

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CY7C1328G-133AXIKJ
CY7C1328G-133AXIKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥36.73148

181

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CY7C1313AV18-200BZC
CY7C1313AV18-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥132.92609

780

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CY7C197-25VCT
CY7C197-25VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥36.87580

34567

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CY62256NLL-70ZC
CY62256NLL-70ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥4.83499

4546

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CY7C197-25VC
CY7C197-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥36.87580

8414

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CY7C199-25VIT
CY7C199-25VIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥4.83499

4000

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CY7C168A-20PC
CY7C168A-20PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (4K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 20-DIP

¥36.87580

349

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CY62256VNLL-70SNC
CY62256VNLL-70SNC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥4.83499

1557

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S29GL512T12TFN010
S29GL512T12TFN010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥90.99880

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CY7C1470BV33-167BZI
CY7C1470BV33-167BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,432.59973

63

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