品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.27935 | 40 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.27935 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.13332 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.13332 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.46912 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.46912 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 144W（Tc） 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.58960 | 24 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.58960 | 立即购买 加入购物车 | |
 | MOSFET N CH | ¥95.96843 | 218 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.96843 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、98A（Tc） 最大功耗: 3W (Ta), 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8 FL 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.14006 | 4780 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.14006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.78779 | 158 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.78779 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.14246 | 123925 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.54508 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.69049 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.69049 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.37495 | 1026 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.37495 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.10044 | 58489 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,148.75114 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 | 75034 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.82738 | 1481 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.82738 | 立即购买 加入购物车 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.60744 | 6466 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.59344 | 9609 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.50507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.01377 | 946 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.01377 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.68908 | 1049 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.68908 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.97880 | 11938 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.97880 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.01377 | 16 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.01377 | 立即购买 加入购物车 | |
 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | ¥132.76670 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥132.76670 | 立即购买 加入购物车 |