
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥9.90104  | 4 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥9.90104  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥2.89716  | 12946 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,175.76716  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 66W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥3.40416  | 1903 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,188.87681  | 添加到BOM  立即询价  | ||
N-CHANNEL  POWER MOSFET   | ¥2.89716  | 12135 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,175.76716  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥2.19243  | 955 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥2.19243  | 立即购买  加入购物车  | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET   | ¥4.27331  | 4956 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,187.93523  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥10.80351  | 20 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥10.80351  | 立即购买  加入购物车  | ||
N-CHANNEL  POWER MOSFET   | ¥2.24530  | 41400 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,198.14772  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥22.04304  | 10 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥22.04304  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥2.89716  | 9620 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,175.76716  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥2.92323  | 24 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥2.92323  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥12.76898  | 3065 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥12.76898  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥3.44907  | 9 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥3.44907  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥4.01909  | 1773 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥4.01908  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 366W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥18.77939  | 10 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥18.77939  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥5.66322  | 18 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥5.66322  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)   | ¥7.30736  | 770 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥7.30736  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 64W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-344 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥11.27502  | 1 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥11.27502  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥11.44378  | 2500 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥11.44378  | 添加到BOM  立即询价  | ||
N-CHANNEL  POWER MOSFET   | ¥2.24530  | 11915 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,198.14772  | 添加到BOM  立即询价  |