品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 84A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.73444 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,546.88740 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.29456 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.29456 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: PQFN (5x6) Single Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.99397 | 38 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.99397 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.37036 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.37036 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 1.8W（Ta） 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | 16000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,148.75114 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.80662 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.80662 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.93243 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.93243 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.08644 | 54916 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,222.84601 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.10044 | 14999 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,211.76437 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Tc） 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 | 8154 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 160W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.97856 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.97856 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.56737 | 129 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.56737 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93411 | 23 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.93411 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Tc） 最大功耗: 140W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.28369 | 45 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.28369 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.34671 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.34671 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Tc) 最大功耗: 94W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.46162 | 578 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.46162 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta）、79A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 46W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.31652 | 89 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.31652 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 22W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.23782 | 495 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.23782 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.25931 | 25758 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,157.65991 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | ¥0.28972 | 39000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.84199 | 添加到BOM 立即询价 |