品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.60265 | 539 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.2A（Tc） 最大功耗: 151W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.60265 | 310 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.57943 | 879000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-7-12 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥90.02925 | 1976 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.02925 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥18.39697 | 430 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.23895 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.67508 | 391 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB Full-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40851 | 109 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.40851 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.40176 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 79A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.57443 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,523.05306 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.82691 | 46 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,491.68973 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.3A（Ta），56A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、52W（Tc） 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.69922 | 8 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.69922 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 171W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥83.70257 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥83.70257 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.47419 | 525 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.86760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.02801 | 8367 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.96959 | 1050 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.35057 | 99 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,591.80675 | 立即购买 加入购物车 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥85.03165 | 12798 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,210.82280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 227W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥86.69751 | 359 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.69751 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 67A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO252-3-313 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.80833 | 4503 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、137A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），63W（Tc） 供应商设备包装: DirectFET等距M4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26.79873 | 8505 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.79873 | 添加到BOM 立即询价 |