9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPW65R190C6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPW65R190C6参考价格为1.74000美元。Infineon Technologies IPW65R190C6封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载IPW65R190C6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPW65R150CFD是MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3，包括XPW65R150系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW65R150CFDFKSA1 IPW65R250CFDXK SP000907038，该产品提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-247-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为195.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.6 ns，上升时间为7.6 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为22.4A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为135mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52.8ns，典型接通延迟时间为12.4ns，Qg栅极电荷为86nC，沟道模式为增强。
IPW65R150CFDFKSA1是MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于700 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及CoolMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IPW65R150，器件的上升时间为7.6 ns，器件的漏极-源极电阻为135 mOhms，Qg栅极电荷为86 nC，Pd功耗为195.3 W，部件别名为IPW65 R150CFD IPW65R1 50CFDXK SP000907038，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为22.4 A，下降时间为5.6 ns，配置为单一。
IPW65R150CFDAFKSA1是MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3，包括22.4 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-247-3的封装情况，该封装提供了管、零件别名等封装功能，该器件还可以用作IPW65R150系列。此外，该技术为硅，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为1.340411盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
