品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.01161 | 1840 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.01161 | 1404 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.39331 | 717 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.39331 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 160W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.79941 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.79941 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 188W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥24.55343 | 500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.55343 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.90877 | 2922 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64792 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 72W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.16181 | 109 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16.16181 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 143W（Tc） 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.02368 | 660 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.02368 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.13330 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.13330 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.98120 | 425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 28W（Tc） 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.49857 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,629.30982 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.05363 | 9838 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3-21 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.79745 | 25 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.79745 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET | ¥10.28492 | 950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.11770 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A（Ta）、19A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.02225 | 4800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67,306.81920 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Ta）、90A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 54W (Tc) 供应商设备包装: PQFN（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.85757 | 25 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.85757 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180毫安（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23-3-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.18784 | 43 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.18784 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-313 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 8590 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Ta), 180A (Tc) 最大功耗: 2.8W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: MG-WDSON-2，CanPAK M 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.24290 | 6024 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.63546 | 11000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 |