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品牌介绍

GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者,同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。

英文全称: GeneSiC Semiconductor

中文全称: 基因半导体公司

英文简称: GeneSiC

品牌地址: http://www.genesicsemi.com/

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品牌型号
描述
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G3R350MT12J
G3R350MT12J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.12458

7834

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.12458

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G2R1000MT17J
G2R1000MT17J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.14294

12859

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.14294

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G3R160MT12D
G3R160MT12D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 123W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥51.32381

513

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.32381

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G3R450MT17J
G3R450MT17J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 91W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥60.91098

9567

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.91098

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G3R75MT12D
G3R75MT12D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tc) 最大功耗: 207W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥80.80616

6505

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.80616

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G3R75MT12K
G3R75MT12K
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tc) 最大功耗: 207W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥85.34746

1406

5-7 工作日

- +

合计: ¥85.34746

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G3R160MT17D
G3R160MT17D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 175W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥87.36581

2210

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.36581

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G3R40MT12D
G3R40MT12D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 71A (Tc) 最大功耗: 333W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥133.85999

593

5-7 工作日

- +

合计: ¥133.85999

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G3R40MT12J
G3R40MT12J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 374W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥140.27546

885

5-7 工作日

- +

合计: ¥140.27546

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G3R30MT12K
G3R30MT12K
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 400W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥175.81288

3277

5-7 工作日

- +

合计: ¥175.81288

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G3R30MT12J
G3R30MT12J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A(Tc) 最大功耗: 459W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥177.47081

1815

5-7 工作日

- +

合计: ¥177.47081

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G3R45MT17D
G3R45MT17D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 61A (Tc) 最大功耗: 438W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥249.69898

580

5-7 工作日

- +

合计: ¥249.69898

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G3R45MT17K
G3R45MT17K
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 61A (Tc) 最大功耗: 438W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥254.96111

337

5-7 工作日

- +

合计: ¥254.96111

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G3R20MT12K
G3R20MT12K
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 128A(Tc) 最大功耗: 542W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥277.52340

802

5-7 工作日

- +

合计: ¥277.52340

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G3R20MT12N
G3R20MT12N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 365W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥406.84210

469

5-7 工作日

- +

合计: ¥406.84210

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G2R120MT33J
G2R120MT33J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 3300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥730.71551

562

5-7 工作日

- +

合计: ¥730.71551

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GA20JT12-263
GA20JT12-263
漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 282W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥274.85629

104

5-7 工作日

- +

合计: ¥274.85629

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G3R350MT12D
G3R350MT12D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.12326

9566

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.12326

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G2R1000MT17D
G2R1000MT17D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.12326

6867

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.12326

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G3R450MT17D
G3R450MT17D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥51.39589

2110

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.39589

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