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G2R1000MT17J

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 49.36929 49.36929
10+ 44.25139 442.51396
25+ 42.35625 1058.90630
100+ 39.64745 3964.74550
250+ 37.95210 9488.02625
500+ 37.92821 18964.10850
  • 库存: 12859
  • 单价: ¥47.34241
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥49.37
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Tc)
  • 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 供应商设备包装 TO-263-7
  • 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
  • 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.2欧姆@2A,20V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 2毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-10伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 139 pF@1000 V
  • 最大功耗 54W (Tc)

G2R1000MT17J 产品详情

G2R1000MT17J所属分类:分立场效应晶体管 (FET),G2R1000MT17J 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G2R1000MT17J价格参考¥47.342406,你可以下载 G2R1000MT17J中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G2R1000MT17J规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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