G3R20MT12N

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
• 技术 SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 15伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-10伏
• 安装类别 机箱安装
• 包装/外壳 SOT-227-4，迷你超直瞄
• 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@60A，15V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 15毫安时2.69伏
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 219 nC@15 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5873 pF @ 800 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 105A（Tc）
• 最大功耗 365W (Tc)
• 供应商设备包装 SOT-227