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品牌介绍

GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者,同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。

英文全称: GeneSiC Semiconductor

中文全称: 基因半导体公司

英文简称: GeneSiC

品牌地址: http://www.genesicsemi.com/

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品牌型号
描述
价格
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操作
1N8034-GA
1N8034-GA
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 9.4A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-257 工作结温: -55摄氏度~250摄氏度

¥2.98408

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.98408

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1N8035-GA
1N8035-GA
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 14.6A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-276 工作结温: -55摄氏度~250摄氏度

¥32.60754

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.60754

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GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 1A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度

¥2.67987

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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GB05SLT12-220
GB05SLT12-220
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 5A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度

¥3.02753

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.02753

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GB05SLT12-252
GB05SLT12-252
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 5A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-252 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度

¥12.50125

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.50125

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GB20SLT12-247
GB20SLT12-247
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 20A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度

¥3.14342

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.14342

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GA10SICP12-247
GA10SICP12-247
电流属性: 10A 电压: 1.2千伏 包装/外壳: 至247-3

¥190.44481

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥190.44481

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GA50SICP12-227
GA50SICP12-227
电流属性: 50 A 电压: 1.2千伏 包装/外壳: SOT-227-4,迷你超直瞄

¥205.37837

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥205.37837

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GA100SICP12-227
GA100SICP12-227
电流属性: 100 A 电压: 1.2千伏 包装/外壳: SOT-227-4,迷你超直瞄

¥107.77524

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥107.77524

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GA040TH65
GA040TH65
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 69 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13,037.22000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥130,372.20000

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GA040TH65-227SP
GA040TH65-227SP
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 69 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13,037.22000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥130,372.20000

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GA060TH65
GA060TH65
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 104 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15,210.09000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥152,100.90000

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GA20SICP12-263
GA20SICP12-263
电流属性: 20A 电压: 1.2千伏 包装/外壳: 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA

¥407.84770

37

5-7 工作日

- +

合计: ¥407.84770

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GA080TH65
GA080TH65
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 139 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19,555.83000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥195,558.30000

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GA060TH65-227SP
GA060TH65-227SP
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 104 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19,555.83000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥195,558.30000

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GA080TH65-227SP
GA080TH65-227SP
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 139 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26,074.44000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥260,744.40000

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GA100SCPL12-227E
GA100SCPL12-227E
SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV

¥12.25499

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.25499

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G3R350MT12J
G3R350MT12J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.34055

7834

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.34055

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G2R1000MT17J
G2R1000MT17J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.36857

12859

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.36857

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G3R160MT12D
G3R160MT12D
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 123W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥51.56945

513

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.56945

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