GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者,同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 9.4A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-257 工作结温: -55摄氏度~250摄氏度 | ¥2.98408 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.98408 | 添加到BOM 立即询价 | ||
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 14.6A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-276 工作结温: -55摄氏度~250摄氏度 | ¥32.60754 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.60754 | 添加到BOM 立即询价 | ||
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 1A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥2.67987 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | ||
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 5A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥3.02753 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.02753 | 添加到BOM 立即询价 | ||
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 5A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-252 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥12.50125 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.50125 | 添加到BOM 立即询价 | ||
二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 20A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥3.14342 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.14342 | 添加到BOM 立即询价 | ||
电流属性: 10A 电压: 1.2千伏 包装/外壳: 至247-3 | ¥190.44481 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥190.44481 | 添加到BOM 立即询价 | ||
电流属性: 50 A 电压: 1.2千伏 包装/外壳: SOT-227-4,迷你超直瞄 | ¥205.37837 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥205.37837 | 添加到BOM 立即询价 | ||
电流属性: 100 A 电压: 1.2千伏 包装/外壳: SOT-227-4,迷你超直瞄 | ¥107.77524 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥107.77524 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 69 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13,037.22000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥130,372.20000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 69 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13,037.22000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥130,372.20000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 104 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15,210.09000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥152,100.90000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
电流属性: 20A 电压: 1.2千伏 包装/外壳: 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA | ¥407.84770 | 37 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥407.84770 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 139 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19,555.83000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥195,558.30000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 104 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19,555.83000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥195,558.30000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 139 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥26,074.44000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥260,744.40000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV | ¥12.25499 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.25499 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥45.34055 | 7834 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.34055 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥47.36857 | 12859 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.36857 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 123W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥51.56945 | 513 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.56945 | 添加到BOM 立即询价 |