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品牌介绍

GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者,同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。

英文全称: GeneSiC Semiconductor

中文全称: 基因半导体公司

英文简称: GeneSiC

品牌地址: http://www.genesicsemi.com/

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品牌型号
描述
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操作
2N7638-GA
2N7638-GA
漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) (158摄氏度) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-276 工作温度: -55摄氏度~225摄氏度(TJ)

¥26.11607

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.11607

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2N7639-GA
2N7639-GA
漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc)(155摄氏度) 最大功耗: 172W(Tc) 供应商设备包装: TO-257 工作温度: -55摄氏度~225摄氏度(TJ)

¥4.28298

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.28298

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2N7640-GA
2N7640-GA
漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc)(155摄氏度) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-276 工作温度: -55摄氏度~225摄氏度(TJ)

¥31.79786

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.79786

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GA03JT12-247
GA03JT12-247
漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) (95摄氏度) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AB 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥23.41938

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.41938

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GA06JT12-247
GA06JT12-247
漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) (90摄氏度) 供应商设备包装: TO-247AB 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥31.92765

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.92765

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GA100JT12-227
GA100JT12-227
漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 535W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.80567

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.80567

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GA20SICP12-247
GA20SICP12-247
漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 282W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.55603

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.55603

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GA50JT12-263
GA50JT12-263
TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7

¥16.93002

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.93002

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GA50JT17-247
GA50JT17-247
漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 583W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥4.05225

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05225

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GA05JT01-46
GA05JT01-46
漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-46 工作温度: -55摄氏度~225摄氏度(TJ)

¥65.75885

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥65.75885

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GA100JT17-227
GA100JT17-227
漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 535W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.61773

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.61773

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GB100XCP12-227
GB100XCP12-227
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 供应商设备包装: SOT-227

¥4,912.28112

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,912.28112

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GA35XCP12-247
GA35XCP12-247
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: TO-247AB 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.13355

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.13355

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