S29GL512P10TFIR10D


S29GL512P10TFIR10D器件介绍

英飞凌(Infineon)的S29GL512P10TFIR10D是一款基于90nm MirrorBit工艺技术的3V NOR Flash存储器。S29GL512P10TFIR10D提供统一的 64 K 字（128 K 字节）统一扇区，并具有 VersatileIO 控制功能，允许控制和 I/O 信号在 1.65 V 至 VCC 范围内工作。S29GL512P10TFIR10D具有编程缓冲区，有效提高编程速度，快速页面访问时间为 25 ns，相应的随机访问时间快达 90 ns。S29GL512P10TFIR10D有128 字安全硅区，可一次性编程，用于存储客户和工厂安全信息。有良好寿命，每个扇区可擦除100,000次。


S29GL512P10TFIR10D规格参数

  • 制造厂商: 英飞凌 (Infineon)
  • 存储格式: FLASH
  • 技术: FLASH-NOR
  • 系列: S29GL512P
  • 储存接口: 并联
  • 存储类型: Non-Volatile
  • 工作温度: -40℃ ~ 85℃
  • 存储容量: 512Mb (32M x 16)
  • 电源电压: 3V ~ 3.6V
  • 访达时期: 100ns
  • 单字、单页写入耗时: 100ns
  • 封装: TSOP-56
  • 安装类别: 贴片 SMD/SMT
  • RoHS标准: 符合
  • 含铅标准: 无铅


S29GL512P10TFIR10D引脚定义

S29GL512P10TFIR10D引脚定义

S29GL512P10TFIR10D使用编程信号，操作芯片，具体的引脚使用定义，建议查看芯片手册。


封装图

S29GL512P10TFIR10D采用TSOP-56封装，尺寸为 18.4mm X 14mm 。

S29GL512P10TFIR10封装


工作原理

S29GL512P10TFIR10D是一款90nm的3V NOR Flash存储器，主要工作流程如下

  1. 当需要读取数据时，首先将地址线和控制线设置为相应的值，然后将数据线设置为高阻态，等待芯片输出数据。芯片可以以单字或者页模式输出数据，页模式可以提高读取速度，每页包含8个字或16个字节。芯片的随机访问时间为100ns，页访问时间为25ns。
  2. 当需要写入数据时，首先将地址线和控制线设置为相应的值，然后将数据线设置为要写入的数据，等待芯片完成编程操作。芯片可以以单字或者缓冲区模式写入数据，缓冲区模式可以提高写入速度，每个缓冲区包含32个字或64个字节。芯片的写入周期时间为110ns。
  3. 当需要擦除数据时，首先将地址线和控制线设置为相应的值，然后等待芯片完成擦除操作。芯片可以以扇区或者芯片模式擦除数据，每个扇区包含64K个字或128K个字节。芯片的擦除周期时间为10万次。


S29GL512P10TFIR10D的优缺点

优点:

  • 快速读取和写入：该存储器具有较快的页面读取时间和随机读取时间，同时配备写入缓冲器，可以缩短多字更新的总体编程时间。
  • 高安全性：具有安全硅扇区区域，提供永久安全的标识，确保数据的安全性。
  • 数据保持时间为20年，每个扇区有10万次擦写寿命。

缺点：

  • 由于采用了90nm工艺技术，芯片密度较低，占用空间较多。
  • 擦除操作只能以扇区或芯片为单位进行，不能对单个字或字节进行擦除


主要应用领域

  • 汽车电子：该芯片可以用于汽车仪表盘、导航系统、车载娱乐系统等，提供稳定的数据存储和快速的数据访问。
  • 消费电子：该芯片可以用于数字相机、MP3播放器、游戏机等，提供丰富的多媒体功能和低功耗的优势。