PN结二极管是一种非线性元件，它由两个结组成，即P结和N结，其中大多数和少数电荷载流子像电子和空穴一样存在。它也被称为半导体二极管或PN结二极管。该二极管包括两个端子，即阳极和阴极，其中p型半导体是阳极（正电压），N型半导体是阴极（负电压）。二极管中的电流只在一个方向上流动，因为它以高电阻与另一个方向相反。本文概述了二极管的拐点电压是多少及其特点。


什么是膝关节电压？

在二极管的正向特性中，一旦施加电压，则结开始迅速增加。它被称为拐点电压，它的另一个名称是切入电压。


在二极管的正向特性中，如果我们注意到图形表示，传导开始迅速增加，看起来像或腿，但从技术上讲，它被称为切入电压，如下所述。


PN结二极管特性

PN结二极管VI特性简单地是二极管中的电流和二极管两端施加的电压之间的曲线。二极管的特性分为正向特性和反向特性两部分。


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拐点电压

正向特性

正向偏置中的二极管排列如下所示。通过使用该电路，可以获得正向偏置特性。正向偏置连接可以通过将p结连接到电池的正极端子，将N结连接到蓄电池的负极端子来完成。在这种布置中，大多数电荷载流子是空穴，而少数电荷载流子是电子。


当PN结二极管使用电池以正向偏置连接时，其中P结连接到电池的+ve端子，N结连接到蓄电池的-ve端子。这种安排被称为二极管的正向偏置。在这种布置中，二极管作为短路工作，因为其在欧姆范围内的正向电阻较小。这意味着电流在这种偏置下很容易流动。


在二极管的上述特性中，当二极管两端的电压增加时，电流将增加。如果我们在图中注意到，二极管电流在设定点之前非常小。电压向势垒电势交叉，二极管电流迅速上升，二极管表现出色。这个电流将增加的势垒电压被称为拐点电压。“Si”二极管的拐点电压值为0.7伏，“Ge”二极管为0.3伏


拐点电压公式

这个ct拐点电压可以使用以下公式进行计算。


Vkp=K*如果/CTR x（RCT+RL+RR）


哪里


K=常数，通常取2.0


Vkp=最小拐点电压


If=该位置的最大故障电流，单位为安培


CTR=CT比率


RCT=CT的二次绕组电阻，单位为欧姆


RL=双向引线电阻，单位为欧姆


RR=继电器负载（欧姆）


齐纳二极管的拐点电压

在齐纳二极管的正向偏置中，一旦阳极端子处的电压高于阴极上的拐点电压（阈值电压），则它传导电流。电流从阳极流向阴极。尽管如此，当二极管处于正向偏置时，它被认为是短路，而当二极管处于反向偏置时，则被认为是开路。事实上，当二极管正向偏置时，当外部电路发出命令时，它会执行同样多的电流，并改变其内部电阻，使其两端的电压降恒定为0.7V。


拐点电压和击穿电压之间的差异

拐点电压和击穿电压之间的主要区别包括以下几点。


PN结期间电流开始快速增加的正向电压称为拐点电压。这种电压也被称为切入电压。该电压是PN结可以在不损害电流的情况下工作的最小反向电压。


它是在PN结二极管的导通开始快速上升的曲线的正向偏置内的位置。


二极管的击穿电压可以定义为用于使二极管反向工作的最小反向电压。击穿电压是描述最高反向电压的二极管的一个因素。可以在不影响二极管的电流的指数上升的情况下使用该电压。


硅和锗的拐点电压

硅和锗的拐点电压值包括以下内容。


硅（Si）二极管为0.7 V


锗（锗）二极管为0.3伏


LED的拐点电压

一旦发光二极管在正向偏置中连接到外部电压，PN结上的势垒高度将减小。这个精确的电压被称为LED的拐点电压。当达到这个电压时，电流可能会增加，但电压不会变化。


因此，这一切都是关于拐点电压和击穿电压之间的差异。我们希望您对这个概念有更好的理解。此外，如果对任何技术信息有任何疑问，请在下面的评论部分发表评论，提供反馈。这里有一个问题要问你，如何从图中找到拐点电压?