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什么是结栅场效应晶体管 (JFET):

结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或压控电阻器的器件。在栅极和源极端子之间施加的适当极性的电势差增加了对电流流动的阻力,这意味着更少的电流在源极端子和漏极端子之间的沟道中流动。由于电荷流过源极端子和漏极端子之间的半导体沟道,JFET 不需要偏置电流。

工作温度:
  • -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度
  • -65摄氏度 ~ 135摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TA)
  • -50摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -20摄氏度~80摄氏度(TA)
  • -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 125摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 135摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~85摄氏度(TA)
更多
最大功率:
  • 150 mW
  • 100 mW
  • 429 W
  • 700 mW
  • 30 mW
  • 190瓦
  • 460毫瓦
  • 250毫瓦
  • 400毫瓦
  • 254 W
  • 238 W
  • 310 mW
  • 125毫瓦
  • 350毫瓦
  • 1.8瓦
  • 330毫瓦
  • 68 W
  • 325毫瓦
  • 1 W
  • 200毫瓦
  • 625 mW
  • 225毫瓦
  • 190毫瓦
  • 300毫瓦
  • 360毫瓦
  • 500 mW
更多
电阻-RDS(On):
  • 300欧姆
  • 18欧姆
  • 12欧姆
  • 55 mOhms
  • 6 Ohms
  • 70 mOhms
  • 90 mOhms
  • 150欧姆
  • 85 Ohms
  • 200欧姆
  • 175欧姆
  • 45毫欧姆
  • 40欧姆
  • 100毫欧姆
  • 60 Ohms
  • 125欧姆
  • 375 Ohms
  • 25欧姆
  • 100欧姆
  • 80 Ohms
  • 17毫欧姆
  • 250欧姆
  • 7 Ohms
  • 500 mOhms
  • 8 Ohms
  • 75 Ohms
  • 400欧姆
  • 5 Ohms
  • 30欧姆
  • 10欧姆
  • 3欧姆
  • 50 Ohms
更多
击穿电压(V(BR)GSS):
  • 20伏
  • 40伏
  • 30伏
  • 1200伏
  • 1700伏
  • 50 V
  • 15伏
  • 35伏
  • 25伏
  • 6.5 V
  • 22伏
更多
制造厂商:
  • 美高森美 (Microsemi)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • NTE电子 (NTE)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 哈利斯 (HARRIS)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 英诺赛科 (Innoscience)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 威世达勒 (Vishay Dale)
  • 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 德州仪器 (Texas)
  • 微芯 (Microchip)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 中央半导体 (Central)
  • 固态公司 (Solid State )
  • 美国微芯 (MICROCHIP)
更多
场效应管类型:
  • P-通道
  • n通道
  • 2 N通道
  • 2个N通道(双通道)
供应商设备包装:
  • TO-206AA (TO-18)
  • SMini3-G1
  • 3英里/小时
  • TO-236
  • ECSP1006-3
  • SC-59-3/CP3
  • TO-18 (TO-206AA)
  • SSSMini3-F1
  • UB
  • 3-SPA
  • SC-70-5
  • SSSMini3-F2
  • SOT-23
  • SC-70FL/MCPH3
  • SMini3-F2-B
  • SOT-623F
  • TO-206AF (TO-72)
  • PG-TO247-3
  • SOT-223-4
  • 6-TSSOP
  • VTFP
  • 3-UB (3.09x2.45)
  • Mini3-G1
  • SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
  • TO-71
  • TO-72
  • 5-MCPH
  • SOT-23-3
  • SSMini3-F3-B
  • TO-78-6
  • TO-236AB
  • TO-72-4
  • SMV
  • SMini3-F2
  • 3mcph
  • 3-MPAK
  • SC-88AFL/MCPH5
  • SC-70
  • SOT-23 (TO-236AB)
  • 4-md
  • 3-VTFP
  • TO-206AC (TO-52)
  • 3-CP
  • TO-236 (SOT-23)
  • SC-70-3(SOT323)
  • TO-247-3
  • 8-SOIC
  • SMCP
  • Die
  • SSMini3-F1
  • SSMini3-F3
  • SOT-23-3 (TO-236)
  • TO-92 (TO-226)
  • NS-A1
  • 6-CPH
  • 3-USFP
  • USM
  • TO-92
  • S-Mini
  • SC-59
  • D2PAK-7
  • SOT-323
  • USV
  • TO-18
  • TO-92-3
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当前"结栅场效应晶体管 (JFET)"共 528 条相关库存
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品牌型号
描述
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2N5114
2N5114
JFET P-CH 30V TO-206AA

¥137.22706

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥137.22706

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PN5432
PN5432
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 5 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.89899

0

2-3 工作日

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合计: ¥0.89899

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MMBF5457
MMBF5457
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥133.97607

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥133.97607

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J108
J108
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 8 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥111.83111

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥111.83111

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MMBF4118
MMBF4118
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥207.80345

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥207.80345

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P1086
P1086
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 75 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥198.03366

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥198.03366

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J111,126
J111,126
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 400毫瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.87626

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,165.20866

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PMBFJ308,215
PMBFJ308,215
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 250毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥110.85834

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥110.85834

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BFT46,215
BFT46,215
场效应管类型: n通道 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥49.10039

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.10039

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BFR30,235
BFR30,235
场效应管类型: n通道 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥87.25961

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.25961

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2N5115
2N5115
JFET P-CH 30V TO-18

¥172.28204

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥172.28204

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BFR30,215
BFR30,215
场效应管类型: n通道 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥67.94508

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.94508

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2N5115-E3
2N5115-E3
JFET P-CH 30V TO-18

¥294.53015

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥294.53015

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PMBFJ111,215
PMBFJ111,215
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 300毫瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥139.68583

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥139.68583

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MMBFJ175LT1G
MMBFJ175LT1G
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 225毫瓦 电阻-RDS(On): 125欧姆 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.78947

125392

2-3 工作日

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PMBF4392,215
PMBF4392,215
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥73.24518

0

5-7 工作日

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合计: ¥73.24518

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BSR56,215
BSR56,215
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 250毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥232.32045

0

5-7 工作日

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合计: ¥232.32045

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MMBF4393LT1G
MMBF4393LT1G
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 225毫瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.72996

46169

2-3 工作日

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PMBFJ309,215
PMBFJ309,215
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 250毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥75.39695

0

5-7 工作日

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合计: ¥75.39695

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MMBFJ112
MMBFJ112
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.58887

95955

2-3 工作日

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