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MMBF4117是JFET N-CH 40V 0.225W SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于MMBF4117_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002116盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该器件为N沟道FET型，该器件的最大功率为225mW，电压击穿电压V BRGSS为40V，电流漏极Idss Vds Vgs=0为30μa@10V，电压截止Vgs关闭Id为600mV@1nA，输入电容Ciss Vds为3pF@10V、Pd功耗为225mV，晶体管极性为N沟，正向跨导最小值为0.00007S至0.00021S，Vgs栅源击穿电压为-40 V，栅源截止电压为-1.8V。
MMBF4093是JFET N-CH 40V 350MW SOT23，包括1V@1nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于40V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-40 V，提供单位重量功能，如0.002116盎司，晶体管极性设计用于N通道，以及SOT-23-3供应商设备包，该器件也可作为80欧姆电阻RDS On使用。此外，RDS On漏极-源极电阻为80欧姆，该器件的最大功率为350mW，该器件具有350mW的Pd功耗，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Ciss Vds为16pF@20V，栅极-源极截止电压为-5 V，FET类型为N沟道，电流漏极Idss Vds Vgs=0为8mA@20V，配置为单一。
MMBF4117/2N4117，带有TOS制造的电路图。MMBF4117/2N4117在SOT23封装中提供，是IC芯片的一部分。
