结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或压控电阻器的器件。在栅极和源极端子之间施加的适当极性的电势差增加了对电流流动的阻力,这意味着更少的电流在源极端子和漏极端子之间的沟道中流动。由于电荷流过源极端子和漏极端子之间的半导体沟道,JFET 不需要偏置电流。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 225毫瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.76385 | 1654 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.76385 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.07165 | 39000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.07165 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: USM 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥0.57795 | 42834 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.57795 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 1200伏 最大功率: 254 W 电阻-RDS(On): 90 mOhms 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥115.30040 | 5556 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.30040 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 250毫瓦 电阻-RDS(On): 40欧姆 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.17531 | 25055 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.17531 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.51138 | 94003 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.51138 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: S-Mini 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥0.48391 | 7830 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.48391 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: USM 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥3.18270 | 2030 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.18270 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SMCP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.09808 | 1134744 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.09808 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.52986 | 17433 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.52986 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 12欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.72193 | 38017 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.72193 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.27399 | 4988 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.27399 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥34.64799 | 567 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.64799 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 1200伏 最大功率: 429 W 电阻-RDS(On): 45毫欧姆 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥211.93862 | 1182 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥211.93862 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 20伏 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SOT-623F 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.15019 | 1271060 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,252.80500 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 20伏 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SOT-623F 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.15019 | 687000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,252.80500 | 立即购买 加入购物车 | ||
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER | ¥0.14467 | 64000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.02000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 20伏 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.15019 | 28000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,252.80500 | 立即购买 加入购物车 | ||
N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT | ¥0.30037 | 137530 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,166.24680 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL SILICON JUNCTION FET | ¥0.36167 | 70000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,086.83590 | 添加到BOM 立即询价 |