什么是结栅场效应晶体管 (JFET):
结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或压控电阻器的器件。在栅极和源极端子之间施加的适当极性的电势差增加了对电流流动的阻力，这意味着更少的电流在源极端子和漏极端子之间的沟道中流动。由于电荷流过源极端子和漏极端子之间的半导体沟道，JFET 不需要偏置电流。
工作温度:
- -65摄氏度~200摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~125摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 175摄氏度（TJ）
- 150摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 150摄氏度
- -65摄氏度 ~ 135摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~175摄氏度（TA）
- -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~200摄氏度（TJ）
- -20摄氏度~80摄氏度（TA）
- -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 125摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~125摄氏度（TA）
- 135摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~85摄氏度（TA）
更多
最大功率:
- 150 mW
- 100 mW
- 429 W
- 700 mW
- 30 mW
- 190瓦
- 460毫瓦
- 250毫瓦
- 400毫瓦
- 254 W
- 238 W
- 310 mW
- 125毫瓦
- 350毫瓦
- 1.8瓦
- 330毫瓦
- 68 W
- 325毫瓦
- 1 W
- 200毫瓦
- 625 mW
- 225毫瓦
- 190毫瓦
- 300毫瓦
- 360毫瓦
- 500 mW
更多
电阻-RDS(On):
- 300欧姆
- 18欧姆
- 12欧姆
- 55 mOhms
- 6 Ohms
- 70 mOhms
- 90 mOhms
- 150欧姆
- 85 Ohms
- 200欧姆
- 175欧姆
- 45毫欧姆
- 40欧姆
- 100毫欧姆
- 60 Ohms
- 125欧姆
- 375 Ohms
- 25欧姆
- 100欧姆
- 80 Ohms
- 17毫欧姆
- 250欧姆
- 7 Ohms
- 500 mOhms
- 8 Ohms
- 75 Ohms
- 400欧姆
- 5 Ohms
- 30欧姆
- 10欧姆
- 3欧姆
- 50 Ohms
更多
击穿电压（V（BR）GSS）:
- 20伏
- 40伏
- 30伏
- 1200伏
- 1700伏
- 50 V
- 15伏
- 35伏
- 25伏
- 6.5 V
- 22伏
更多
制造厂商:
- 美高森美 (Microsemi)
- 英飞凌 (Infineon)
- NTE电子 (NTE)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 哈利斯 (HARRIS)
- 罗姆 (Rohm)
- 英诺赛科 (Innoscience)
- 恩智浦 (NXP)
- 东芝 (Toshiba)
- 威世达勒 (Vishay Dale)
- 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 安盛美 (onsemi)
- 德州仪器 (Texas)
- 微芯 (Microchip)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商 (UnitedSiC)
- 中央半导体 (Central)
- 固态公司 (Solid State )
- 美国微芯 (MICROCHIP)
更多
场效应管类型:
- P-通道
- n通道
- 2 N通道
- 2个N通道（双通道）
供应商设备包装:
- TO-206AA (TO-18)
- SMini3-G1
- 3英里/小时
- TO-236
- ECSP1006-3
- SC-59-3/CP3
- TO-18 (TO-206AA)
- SSSMini3-F1
- UB
- 3-SPA
- SC-70-5
- SSSMini3-F2
- SOT-23
- SC-70FL/MCPH3
- SMini3-F2-B
- SOT-623F
- TO-206AF (TO-72)
- PG-TO247-3
- SOT-223-4
- 6-TSSOP
- VTFP
- 3-UB (3.09x2.45)
- Mini3-G1
- SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
- TO-71
- TO-72
- 5-MCPH
- SOT-23-3
- SSMini3-F3-B
- TO-78-6
- TO-236AB
- TO-72-4
- SMV
- SMini3-F2
- 3mcph
- 3-MPAK
- SC-88AFL/MCPH5
- SC-70
- SOT-23 (TO-236AB)
- 4-md
- 3-VTFP
- TO-206AC (TO-52)
- 3-CP
- TO-236 (SOT-23)
- SC-70-3（SOT323）
- TO-247-3
- 8-SOIC
- SMCP
- Die
- SSMini3-F1
- SSMini3-F3
- SOT-23-3 (TO-236)
- TO-92 (TO-226)
- NS-A1
- 6-CPH
- 3-USFP
- USM
- TO-92
- S-Mini
- SC-59
- D2PAK-7
- SOT-323
- USV
- TO-18
- TO-92-3
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 300毫瓦 电阻-RDS(On): 40欧姆 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥555.36071 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥555.36071 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 85 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥116.78457 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥116.78457 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 300毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | JFET N-CH 40V 80MA TO-18 | ¥29.44003 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.44003 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 300毫瓦 电阻-RDS(On): 40欧姆 供应商设备包装: TO-18 | ¥21.64920 | 50 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 250欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.74916 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.74916 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 150欧姆 供应商设备包装: TO-18 | ¥39.45206 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥394.52059 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 250欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥302.68468 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥302.68468 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 300欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥216.11675 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥216.11675 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET N-CH 30V TO-206 | ¥86.36068 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.36068 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 125欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥226.08693 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥226.08693 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 150欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥149.77927 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥149.77927 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 25伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 10欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥261.40110 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥261.40110 | 添加到BOM 立即询价 |