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分立半导体
晶体管
分立场效应晶体管 (FET)

什么是分立场效应晶体管 (FET):

分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用，其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用，高于该电压的其他器件类型（例如 IGBT）将变得更具竞争力。

工作温度:
-25摄氏度~125摄氏度（TJ）
-25摄氏度~150摄氏度（TJ）
-65摄氏度~150摄氏度（TJ）
175摄氏度（TJ）
150摄氏度（TJ）
150摄氏度
-55摄氏度~125摄氏度
175摄氏度
-50摄氏度~150摄氏度（TJ）
150摄氏度（TA）
-60摄氏度~175摄氏度（TJ）
-55摄氏度~125摄氏度（TJ）
-55摄氏度~150摄氏度（TJ）
-65摄氏度~175摄氏度（TJ）
125摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TA）
-50摄氏度~175摄氏度（TJ）
-40摄氏度~150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~110摄氏度（TA）
-40摄氏度~125摄氏度（TJ）
0摄氏度~150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TJ）
-55摄氏度~150摄氏度（TA）
-55摄氏度 ~ 135摄氏度（TJ）
-40摄氏度~175摄氏度（TJ）
-55摄氏度~200摄氏度（TJ）
-55摄氏度~185摄氏度（TJ）
-40摄氏度~110摄氏度（TA）
-55摄氏度~150摄氏度
-55摄氏度~125摄氏度（TA）
-55摄氏度～155摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度
-55摄氏度~225摄氏度（TJ）
-40摄氏度~85摄氏度（TA）
更多
最大功耗:
130W（Tc）
175W（Tc）
1W（Ta）
96W（Tc）
2.5W（Ta）、37W（Tc）
300mW (Ta)
227W（Tc）
560mW (Ta), 12.5W (Tc)
165瓦
242W（Tc）
298mW（Ta）
3.7W (Ta), 43W (Tc)
3W (Ta), 125W (Tc)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
60W (Tc)
350mW (Ta)
33.8W (Tc)
99W（Tc）
125W（Tc）
652mW (Ta), 7.5W (Tc)
580W (Tc)
30W (Tc)
550W (Tc)
2.8W（Ta）
950毫瓦（Ta）
2.5W（Ta）、25W（Tc）
115W（Tc）
1.1W（Ta）
500W (Tc)
481W (Tc)
1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
54W (Tc)
120mW（Ta）
470W (Tc)
42W (Tc)
1.25W（Ta）
2.8W（Ta）、189W（Tc）
1.7W（Ta）
200W（Tc）
2.3W（Ta）、31W（Tc）
298W（Tc）
85W (Tc)
360mW (Ta)
690W (Tc)
3.2W（Ta）、156W（Tc）
91W（Tc）
1.6W（Ta）
326W (Tc)
45W (Tc)
75W (Tc)
35W (Tc)
1.5W（Ta）
320mW (Ta)
135W（Tc）
78W (Tc)
68W (Tc)
2.5W（Ta）
417W (Tc)
38W (Tc)
56.8W (Tc)
2.1W（Ta）、60W（Tc）
333W (Tc)
3W (Ta), 25W (Tc)
207W（Tc）
2.1W（Ta）、113W（Tc）
220W（Tc）
6.2W (Ta), 60W (Tc)
103W（Tc）
250W（Tc）
3.1W（Ta）、32W（Tc）
2.3W（Ta）、54W（Tc）
2.14W（Ta）
150mW（Ta）
1.98W（Ta），9.6W（Tc）
208W（Tc）
500mW (Ta)
462W (Tc)
50W (Tc)
800mW (Ta)
1.3W（Ta）
830mW (Tc)
1W（Tc）
1.8W（Ta）
3.8W (Ta), 200W (Tc)
1.2W（Ta）
110W（Tc）
1.9W（Ta）
254.2W（Tc）
123W（Tc）
86W (Tc)
3.1W（Ta）
417mW (Ta)
107W（Tc）
74W (Tc)
520W (Tc)
2W（Ta）
180W（Tc）
2.3W（Ta），50W（Tc）
2.5W（Ta），50W（Tc）
300W (Tc)
更多
漏源电压标 (Vdss):
1200伏
220伏
28伏
50 V
200伏
530 V
16伏
135伏
52 V
24伏
75 V
115伏
36伏
12伏
20伏
190伏
40伏
170伏
150伏
130伏
90 V
2200伏
4500伏
1050伏
1500伏
560 V
1100伏
330伏
100伏
520 V
49伏
5 V
65 V
25伏
33伏
45伏
16.5伏
9 V
415伏
280伏
80 V
2500伏
240伏
175伏
450伏
620 V
59 V
400伏
800 V
550 V
2000伏
1400伏
3300伏
18伏
38伏
125伏
14伏
55 V
105伏
34伏
180伏
10伏
30伏
160伏
650 V
70 V
900 V
120伏
750 V
1000伏
350伏
950伏
4700 V
4000伏
68 V
600 V
300伏
850 V
1700伏
110伏
275伏
60 V
85 V
500 V
15伏
6 V
35伏
525 V
8 V
700 V
43伏
250伏
3000伏
230伏
640 V
480伏
更多
漏源电流 (Id) @ 温度:
41A (Tc)
31A (Tc)
84A (Tc)
64A (Tc)
37.9A (Tc)
8.6A (Tc)
6.2A (Ta)
54A (Tc)
8A (Tc)
1.2A（Tj）
6A (Ta)
22A（Tc）
61A (Tc)
3.8A (Ta)
77A (Tc)
21A（Tc）
2.2A（Ta）
200A（Tc）
2A（Ta）
45A (Ta), 100A (Tc)
4.3A (Ta)
15A（Ta）
120A（Tc）
4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
5.6A (Tc)
4A (Ta)
5.5A (Ta)
4.5A (Tc)
3.4A（Ta）
300毫安 (Ta)
135A（Tc）
8.6A (Ta)
49A (Tc)
3A (Tc)
94A（Tc）
2.3A（Ta）
25A（Tc）
160A（Tc）
200毫安（Ta）
5.6A (Ta)
32A (Tc)
1A（Ta）
4.1A (Ta)
800毫安 (Ta)
10A（Ta）
15A（Tc）
7.2A (Ta)
100A（Tc）
7.7A (Tc)
55A (Tc)
12A（Tc）
13A（Ta）、30A（Tc）
5.5A (Tc)
28A（Tc）
4.5A (Ta)
140A（Tc）
1.7A（Ta）
48A (Tc)
9.5A (Tc)
5.2A (Tc)
1.9A（Tc）
2.6A（Ta）
1.6A（Ta）
25A（Ta）、28A（Tc）
100毫安（Ta）
85A (Tc)
9.2A (Tc)
30A (Tc)
50A (Tc)
70A (Tc)
24A（Ta）、162A（Tc）
10A（Ta）、12A（Tc）
5.8A (Ta)
35毫安 (Ta)
530毫安 (Tj)
9A（Tc）
2.8A（Ta）
16A（Tc）
23A（Ta）
65A (Tc)
20.7A（Tc）
11A（Tc）
2.7A（Tc）
76A (Tc)
14A（Ta）
22A（Ta）、160A（Tc）
209A（Tc）
140毫安（Ta）
13A（Ta）、50A（Tc）
47A (Tc)
13A（Ta）、40A（Tc）
350毫安 (Ta)
26A（Tc）
3.2A（Ta）
20A（Tc）
3.5A（Ta）
2A（Tc）
52A (Tc)
5.1A (Tc)
96A（Tc）
更多
制造厂商:
瞻芯电子 (Inventchip)
恩智浦 (NXP)
光宇睿芯 (SINO-IC)
韦尔 (WILLSEMI)
西门子 (Siemens)
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
中央半导体 (Central)
赛米奇公司 (SemiQ)
合科泰 (Hottech)
特朗斯峰 (Transphorm)
南京微盟 (MICRONE)
安世半导体 (Nexperia)
东芝 (Toshiba)
扬杰 (YANGJIE)
华科 (HUAKE)
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
伯恩半导体 (BORN)
瑞森半导体 (REASUNOS)
高福德 (Goford)
力特 (Littelfuse)
威兆 (Vanguard)
静芯微 (ElecSuper)
科信 (KEXIN)
恒佳兴 (HX)
安森德 (Ascend)
达尔科技 (Diodes rporated)
德昌 (TC)
无锡新洁能 (NCE)
德州仪器 (Texas)
霍尼韦尔航天 (Honeywell)
信安 (Truesemi)
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
固态公司 (Solid State )
杰盛微 (JSMSEMI)
美国怀格 (Vicor)
华羿微 (HUAYI)
模拟器件公司 (Analog)
蓝箭 (BLUE ROCKET)
安世 (Nexperia)
捷捷微 (JJW)
泰德 (code)
罗切斯特电子 (Rochester)
锐骏半导体 (Ruichips)
萨科微 (Slkor)
基因半导体公司 (GeneSiC)
上海贝岭 (BL)
富信 (FOSAN)
士兰微 (SILAN)
乐山无线电 (LRC)
微型商业组件 (Micro)
英飞凌 (Infineon)
司坦森 (STANSON)
扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
黑森尔 (Vishay Siliconix)
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
安盛美 (onsemi)
意法半导体 (STMicroelectronics)
威世二极管 (Vishay General)
源芯半导体 (SPS)
松下电子元件 (Panasonic)
谷峰 (GOFORD)
强茂 (Panjit)
微芯 (Microchip)
瑞特隆 (Rectron)
欧普泰克 (TT)
铨力 (ALLPOWER)
美国微芯 (MICROCHIP)
芯导 (Prisemi)
特瑞仕 (Torex)
时科 (SHIKUES)
NTE电子 (NTE)
罗姆 (Rohm)
迪浦 (PUOLOP)
DComponents (DComponents)
艾赛斯.力特 (IXYS)
KUU电子科技 (KUU)
富芯森美 (FUXINSEMI)
华润微 (CRMICRO)
碳化硅（SiC）功率半导体制造商 (UnitedSiC)
三垦电气株式会社 (Sanken)
华朔 (HUASHUO)
平晶微 (PJSEMI)
台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
EPC公司 (EPC)
江苏长电/长晶 (CJ)
微硕 (WINSOK)
台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
美森科 (MSKSEMI)
富晶 (FORTUNE)
台舟 (TECH PUBLIC)
瑞萨电子 (Renesas)
德欧泰克半导体 (Diotec)
广东友台半导体 (UMW)
迈凌微 (MaxLinear)
固得沃克 (GOODWORK)
佳尔科工业电子 (Galco)
思佳讯商贸 (Skyworks)
更多
场效应管类型:
P-通道
n通道
供应商设备包装:
Micro6（SOT23-6）
PowerDI3333-8
8-SO
6-TSOP
SC-70-3
TO-263-7
Power33
TO-247N
DPAK (TO-263)
PG-SOT-23-3
SOT-23-6
SOT-23-3
8-DFN (5x6)
TO-220AB Full-Pak
SOT-223
4-HVMDIP
TO-39
TO-268HV (IXFT)
PG-TDSON-8 FL
TO-252（DPak）
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
Micro6（TSOP-6）
TO-263（D2Pak）
ES6
TSMT3
3-PFN（8x8）
TO-268AA
SOT-89
TO-220-3
TO-247-4
TO-247-3
TO-220
Die
PG-SOT223-4
SOT-89-3
DFN2020MD-6
MPT3
6-CPH
DirectFET等距M4
TO-263AA
SuperSOT-6.
TO-92
TO-247-4L
PG-TO252-3
DIRECTFETMX
TO-220FP
8-DFN-EP (3x3)
TO-92-3
VMT3
TO-247 (IXTH)
6-DFN (2x2)
PG-SC59-3
8-HSOP
TUMT3
TO-251AA
PG-TO220-3
4-DSBGA（1x1）
3-XLLGA（0.62-0.62）
SOT-23
8-Dual Cool88
DPAK
D2PAK
6-UDFNB (2x2)
PG-TO247-3
TO-220F-3
SOT-223-3
SOT-223-4
D-Pak
TO-264 (IXTK)
IPAK (TO-251AA)
PowerFlat（8x8）高压
TO-220AB
TO-236AB
4-PICOSTAR
Power88
D-PAK (TO-252)
TO-247AD (IXFH)
TO-3P
8-SOP Advance (5x5)
PG-TSON-8-4
3-PICOSTAR
PG-TO247-3-1
TO-247AC
TO-262
TO-3PN
U-dfn1161-6
8-SOIC
PowerDI3333-8 (Type UX)
U-WLB1010-4
UFM
PG-TO252-3-11
6-PQFN (2x2)
9-DSBGA
PG-TO220-FP
TO-252-3
3-XDFN（0.42x0.62）
PG-SOT89-4-2
SOT-323
PLUS247-3.
更多

当前"分立场效应晶体管 (FET)"共 36825 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
RQ6E055BNTCR 罗姆 (Rohm)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.25W（Ta）供应商设备包装: TSMT6（SC-95）工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥4.99760	4	5-7 工作日	- + 合计: ¥4.99760	添加到BOM 立即询价
IXTH1N170DHV 艾赛斯.力特 (IXYS)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 1700伏漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Tj）最大功耗: 290W（Tc）供应商设备包装: TO-247HV 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥118.27656	15	5-7 工作日	- + 合计: ¥118.27656	添加到BOM 立即询价
NVMTS0D7N04CLTXG 安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 67A (Ta), 433A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、205W（Tc）供应商设备包装: 8-DFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥48.16529	2950	5-7 工作日	- + 合计: ¥48.16529	添加到BOM 立即询价
IMBG120R350M1HXTMA1 英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 1200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-12 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥55.11847	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥55.11847	添加到BOM 立即询价
UJ4C075023K4S 碳化硅（SiC）功率半导体制造商 (UnitedSiC)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 750 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 66A (Tc) 最大功耗: 306W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥119.14571	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥119.14571	添加到BOM 立即询价
SIHK125N60E-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc）最大功耗: 132W（Tc）供应商设备包装: PowerPAK10 x 12 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥39.61866	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥39.61866	添加到BOM 立即询价
STL45N60DM6 意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc）最大功耗: 160W（Tc）供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥48.74472	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥48.74472	添加到BOM 立即询价
SIHK055N60E-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 236W（Tc）供应商设备包装: PowerPAK10 x 12 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥64.02724	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥64.02724	添加到BOM 立即询价
RTQ035N03HZGTR 罗姆 (Rohm)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta）最大功耗: 950毫瓦（Ta）供应商设备包装: TSMT6（SC-95）工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥4.63546	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥4.63546	添加到BOM 立即询价
LSIC1MO120G0080 力特 (Littelfuse)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 1200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 214W（Tc）供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥119.94242	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥119.94242	添加到BOM 立即询价
SIHB186N60EF-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 156W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥22.45299	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥22.45299	添加到BOM 立即询价
FCP150N65F 安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc）最大功耗: 298W（Tc）供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥29.26132	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥29.26132	添加到BOM 立即询价
IPDD60R080G7XTMA1 英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc）最大功耗: 174W（Tc）供应商设备包装: PG-HDSOP-10-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥57.65348	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥57.65348	添加到BOM 立即询价
SIRA36DP-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.49060	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥4.49060	添加到BOM 立即询价
SIHG25N50E-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc）最大功耗: 250W（Tc）供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥29.26132	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥29.26132	添加到BOM 立即询价
NVBLS1D7N08H 安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 241.3A (Tc) 最大功耗: 4.4W (Ta), 237.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥37.37336	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥37.37336	添加到BOM 立即询价
IXFK32N80P 艾赛斯.力特 (IXYS)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 830W (Tc) 供应商设备包装: TO-264AA (IXFK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥120.15971	150	5-7 工作日	- + 合计: ¥120.15971	添加到BOM 立即询价
IRFS7534TRLPBF 英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc）最大功耗: 294W（Tc）供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.10485	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥23.10485	添加到BOM 立即询价
IPT013N08NM5LFATMA1 英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 333A (Tc) 最大功耗: 278W（Tc）供应商设备包装: PG-HSOF-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥57.72591	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥57.72591	添加到BOM 立即询价
STW8N90K5 意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 130W（Tc）供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥29.40617	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥29.40617	添加到BOM 立即询价

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