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IMBG120R350M1HXTMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-12 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 55.11846 55.11846
10+ 49.77320 497.73209
100+ 41.20485 4120.48580
500+ 40.25893 20129.46750
1000+ 40.25893 40258.93500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥55.11847
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥55.12
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
  • 场效应管特性 标准
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.7A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.7V @ 1毫安
  • 最大功耗 65W (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +18伏、-15伏
  • 供应商设备包装 PG-TO263-7-12
  • 导通电阻 Rds(ON) 468毫欧姆 @ 2A, 18V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.9 nC @ 18 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 196 pF@800 V

IMBG120R350M1HXTMA1 产品详情

IMBG120R350M1HXTMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IMBG120R350M1HXTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IMBG120R350M1HXTMA1价格参考¥55.118469,你可以下载 IMBG120R350M1HXTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IMBG120R350M1HXTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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