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IPDD60R080G7XTMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 174W(Tc) 供应商设备包装: PG-HDSOP-10-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 66.27253 66.27253
10+ 59.88429 598.84297
100+ 49.57909 4957.90990
500+ 46.42264 23211.32150
1700+ 46.42264 78918.49310
  • 库存: 0
  • 单价: ¥57.65348
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥66.27
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 29A(Tc)
  • 供应商设备包装 PG-HDSOP-10-1
  • 包装/外壳 10 PowerSOP模块
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 9.7A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 490A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1640 pF@400 V
  • 最大功耗 174W(Tc)
  • 材质 -

IPDD60R080G7XTMA1 产品详情

IPDD60R080G7XTMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPDD60R080G7XTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPDD60R080G7XTMA1价格参考¥57.653484,你可以下载 IPDD60R080G7XTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPDD60R080G7XTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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