分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.12605 | 90852 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.12691 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥4.56303 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 223mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-523 Flat Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.82473 | 15735 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.85274 | 2046 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥14.05123 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.94003 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.17047 | 75446 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 49687 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥9.12605 | 19000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.12691 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 260mW(Ta)、830mW(Tc) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.43439 | 47320 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.43439 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.82473 | 7970 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),14.7W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.85274 | 1439 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Ta) 最大功耗: 3.2W(Ta)、70W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.17047 | 69410 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.15647 | 43450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.56303 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.31177 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 915毫安(Ta) 最大功耗: 300mW (Tj) 供应商设备包装: SC-75,SOT-416 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.50266 | 12405 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.50266 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.42978 | 83103 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.85274 | 446 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.15647 | 41464 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.17047 | 20529 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.12605 | 13607 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.12691 | 添加到BOM 立即询价 |