分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.13330 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.13330 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),26W(Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 104850 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.98120 | 425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥7.02561 | 8151 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.96564 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.08404 | 8645 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.08489 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.21249 | 5937 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 127W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 1147 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥25.49501 | 268 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.49501 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: X2-DFN0806-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 48796 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.86915 | 99000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 660mW (Ta) 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type E) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.78031 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.78031 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.08404 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.16892 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 58W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.21249 | 5075 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 28W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.49857 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,629.30982 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 90330 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: SOT-883 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.04202 | 23478 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.04202 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 135W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.05363 | 39199 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.92363 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 306W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.08404 | 4728 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.23W (Tc) 供应商设备包装: DFN0606-3(SOT8001) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.46259 | 8635 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 |